| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | SOT-23-6 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0215 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 2 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 560 pF |
| 栅电荷 | 12.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 560pF @24V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.1 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 35mΩ@ VGS = -4.5V, ID = -6A 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1~3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| Power MOSFET Features • Low RDS(on) • Low Gate Charge • Pb−Free Package is Available Applications • Load Switch • Notebook PC • Desktop PC 描述与应用| 功率MOSFET 特点 •低的RDS（on） •低栅极电荷 •无铅包装是可用 应用 •负荷开关 •笔记本电脑 •台式电脑
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功率MOSFET的30 V ， 7.0 A单N沟道， TSOP- 6 Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N−Channel, TSOP−6
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ON SEMICONDUCTOR NTGS4141NT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 30 V, 0.0215 ohm, 10 V, 3 V
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