| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 70.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 400pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 28 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 28W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR STF202-22T1G 静电保护装置, 滤波, TSOP, 6 引脚, 5.25 V, 225 mW
Semtech Corporation
STF203 系列 双向 USB 上游端口 滤波和TVS - SC-70-6
ST Microelectronics（意法半导体）
STF20N95K5 系列 950 V 330 mOhm N-沟道 SuperMESH 5™ 功率 Mosfet - TO-220FP
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STF20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
Semtech Corporation
STF 系列 47 pF 表面贴装 USB 下游端口 滤波器 & TVS 保护 - SC-70-5L
Semtech Corporation
ESD 抑制器/TVS 二极管 IPD TVS, USB, 33 OHM, 3K T&R
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 0.26ohm - 20A TO- 220 ， TO- 220FP - TO- 247 FDmesh功率MOSFET （具有快速二极管） N-CHANNEL 600V - 0.26ohm - 20A TO-220-TO-220FP-TO-247 FDmesh POWER MOSFET (with FAST DIODE)
Semtech Corporation
特点•USB上行端口过滤和TVS对于EMI滤波和ESD保护•双向EMI / RFI滤波和线路终端，集成ESD保护•ESD保护USB电源及数据线（D+和D-）IEC61000-4-2（ESD）±15kV（空气），±8kV（接触）IEC61000-4-4（E..
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.06ohm - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
