| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 480 mΩ |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1250pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 125000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 4.6 mm |
| 高度 | 9.15 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STP11NM60 场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-220
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STMICROELECTRONICS STP11NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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