| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 漏源极电阻 | 800 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 11.0 A |
| 上升时间 | 13 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2900pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 23 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.26 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
8 页 / 0.27 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW11NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 900 V, 0.82 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 0.65ohm - 11A - T0-247的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
