STP14NK60Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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STP14NK60Z 数据手册 (19 页)

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STP14NK60Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	600 V
额定电流	13.5 A
封装	TO-220-3
额定功率	160 W
漏源极电阻	500 mΩ
极性	N-Channel
功耗	160W (Tc)
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	13.5 A
上升时间	18 ns
输入电容值(Ciss)	2220pF @25V(Vds)
下降时间	13 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	160W (Tc)

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STP14NK60Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP14NK60Z 符合标准

STP14NK60Z 概述

STP14NK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STMICROELECTRONICS STP14NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 450 mohm, 10 V, 3.75 V

STP14NK60Z 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600V - 0.45ohm - 13.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V-0.45ohm-13.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

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