STF3HNK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
描述:	N沟道900V - 0.35ヘ - 3A - TO- 220 - TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 900V - 0.35ヘ - 3A - TO-220 - TO-220FP Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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STF3HNK90Z 数据手册 (15 页)

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STF3HNK90Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	900 V
额定电流	3.00 A
封装	TO-220-3
漏源极电阻	4.20 Ω
极性	N-Channel
功耗	25 W
漏源极电压(Vds)	800 V
漏源击穿电压	900 V
栅源击穿电压	±30.0 V
连续漏极电流(Ids)	3.00 A
上升时间	28 ns
输入电容值(Ciss)	690pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	25 W
下降时间	27 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	25W (Tc)

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STF3HNK90Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Obsolete
包装方式	Tube
长度	10.4 mm
宽度	4.6 mm
高度	9.3 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF3HNK90Z 符合标准

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N沟道900V - 0.35ヘ - 3A - TO- 220 - TO- 220FP齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 900V - 0.35ヘ - 3A - TO-220 - TO-220FP Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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