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BSP129H6327XTSA1
来自 AiPCBA

BSP129H6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-261-4
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:BSP129H6327XTSA1 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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BSP129H6327XTSA1 数据手册 (9 页)
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BSP129H6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装TO-261-4
通道数1 Channel
针脚数4 Position
漏源极电阻4.2 Ω
极性N-CH
功耗1.8 W
阈值电压1.4 V
漏源极电压(Vds)240 V
连续漏极电流(Ids)0.35A
上升时间4.1 ns
输入电容值(Ciss)108pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.8 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.8 W
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BSP129H6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BSP129H6327XTSA1 数据手册

BSP129H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.58 MByte
BSP129H6327XTSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSP129H6327XTSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSP129H6327XTSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
19 页 / 0.88 MByte

BSP129H6327 数据手册

BSP129H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
240V,6000mΩ,0.05A,N沟道功率MOSFET
BSP129 H6327 数据手册
Infineon（英飞凌）
BSP129H6327XTSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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