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IPD320N20N3GATMA1
来自 AiPCBA

IPD320N20N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:IPD320N20N3 系列 200 V 32 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率-晶体管 -PG-TO-252-3
PDF文件:IPD320N20N3GATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD320N20N3GATMA1 数据手册 (9 页)
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IPD320N20N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.027 Ω
极性N-Channel
功耗136 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)34A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)2350pF @100V(Vds)
额定功率(Max)136 W
下降时间4 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)136W (Tc)
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IPD320N20N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度6.22 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPD320N20N3GATMA1 数据手册

IPD320N20N3GATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.53 MByte
IPD320N20N3GATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPD320N20N3GATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPD320N20N3GATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPD320N20N3GATMA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte

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