类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | QFN-8 |
额定功率 | 3.6 W |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.0012 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 156 W |
阈值电压 | 800 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 45A |
上升时间 | 74 ns |
输入电容值(Ciss) | 10890pF @10V(Vds) |
下降时间 | 160 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6 mm |
宽度 | 5 mm |
高度 | 0.83 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 20 V 49A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) 8-PQFN(5x6)
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INFINEON IRFH6200TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 20 V, 0.00075 ohm, 10 V, 800 mV 新
International Rectifier(国际整流器)
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N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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